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集成电路工艺设计(集成电路工艺)

邵媛伯   来源:

大家好,我是小跳,我来为大家解答以上问题。集成电路工艺设计,集成电路工艺很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、集成电路工艺(integrated circuit technique )是把电路所需要的晶体管、二极管、电

2、阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上,再用适当的工

3、艺进行互连,然后封装在一个管壳内,使整个电路的体积大大缩小,引出线和焊接点的数目

4、也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初,是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术

5、来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术

6、为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。

7、利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅

8、单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件

9、在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需

10、要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规

11、模、超大规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入掺杂

12、工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、

13、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶

14、硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外,还采用了化学汽相淀积重掺杂

15、多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜,以及多层互连结构等工艺。

本文到此讲解完毕了,希望对大家有帮助。